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重庆集成电路工业“十四五”规划出炉:这些12英寸半导体项目被划要点

发布时间:2022-04-02 04:40:22 来源:米乐m6官网

  近来,重庆市人民政府印发《重庆市战略性新式工业展开“十四五”规划(2021—2025年)》(以下简称“规划”)。

  《规划》提出,到2025年,重庆战略性新式工业展开要完成多个方针,包含工业规划迈上万亿台阶、工业集群构成展开梯次、继续增强企业主体实力、明显进步工业立异才能等。

  在战略性新式支柱工业方面,重庆市将要点建造集成电路、新式显现、新式智能终端、新能源轿车和智能轿车、生物医药、先进材料、高端配备制作、绿色环保、软件和信息技能服务、新式服务业等10类工业。

  在集成电路方面,重庆将以整合元件制作(IDM)形式为首要途径,聚集特征制作工艺、化合物半导体、封装测验等方向,继续扩展功率半导体范畴优势位置,推动硅基光电子技能工业化,加速展开化合物半导体材料及芯片、模仿和数模混合芯片、微机电体系(MEMS)等产品,打造全国最大的功率半导体工业基地和集成电路特征工艺技能高地,建成特征明显的国家级集成电路工业集群。

  打破硅光集成、异质异构、三维集成、背照式图画传感器等特征制作工艺,90纳米工艺愈加完善老练,55纳米工艺完成量产,28纳米工艺完成小批量出产。瞄准轿车电子、工业操控、高端工业电源等使用需求,扩展功率半导体晶圆制作产能。面向消费电子、数据中心、自动驾驶等范畴,进步中高频射频前端芯片、激光雷达、毫米波雷达、驱动芯片、高性能滤波器、微机电体系等特征工艺芯片供应才能。

  提高砷化镓、磷化铟等第二代化合物半导体材料制作才能、产能和化合物半导体芯片出产线良品率,展开激光器芯片、光电器材等产品。研制氮化镓、碳化硅等宽禁带半导体材料,推动功率半导体出产企业开发大功率碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管、高速高功率氮化镓射频器材等产品。展开碳基纳米材料、锑化镓、铟化砷等超宽禁带半导体材料研讨。

  引入专业化龙头封测企业,提高龙头企业封测才能,展开晶圆级封装、体系级封装、高密度三维封装、多芯片封装、硅通孔等先进封装技能,提高先进封装产能规划。

  作为重庆市十四五期间战略性新式支柱工业之一,《规划》中清晰了集成电路工业展开要点,如推动半导体晶圆出产线等制作项目达产、活跃展开先进工艺、大力展开先进封装事务和半导体材料,展开配套材料及半导体设备等。

  在工业化项目展开要点中,多个12英寸半导体项目被划要点,如推动12英寸功率半导体晶圆出产线英寸功率半导体芯片制作及封装测验出产基地等制作项目等。

  据悉,现在,重庆现已建成或正在建造的12英寸半导体项目包含华润微12英寸功率半导体晶圆产线英寸功率半导体芯片制作及封装测验出产基地、以及CUMEC公司12英寸高端特征工艺渠道等。

  华润微12英寸功率半导体晶圆产线月,由华润微全资子公司华微控股、大基金二期及重庆西永微电子一起建议建立,注册资本高达50亿元的润西微电子(重庆)有限公司(以下简称“润西微电子”)正式注册建立,首要并担任建造12吋功率半导体晶圆出产线项目。

  据发表,该项目出资总额为75.5亿元,建成后估计将构成月产3万片12英寸中高端功率半导体晶圆出产才能,并配套建造12英寸外延及薄片工艺才能。

  重庆日报此前报导,华润微12英寸先进功率半导体晶圆出产线年建成投产,首要出产新一代功率半导体产品,以此带动国内功率半导体制作工艺与世界先进水平接轨。重庆高新区变革展开局相关担任人介绍,该项目方案建成国内首座本乡企业12吋功率半导体晶圆出产线英寸功率半导体芯片制作及封装测验出产基地

  重庆万国半导体建立于2016年,是重庆首家集芯片制作、芯片封装、测验为一体的半导体出产制作企业,首要从事功率半导体器材(含功率MOSFET、IGBT等功率集成电路)的产品规划和出产制作,产品广泛使用于通讯职业、消费电子、工业自动化、轿车电子、工业操控等各个方面。

  材料显现,重庆万国半导体项目总出资10亿美元,将逐渐构建起包含芯片研制、规划、制作、封装、测验等环节的完好工业链,促进重庆电子信息工业从笔电基地到“芯屏器核”智能终端的全工业的生态链布局。

  该项目分两期进行建造,一期出资约5亿美元,首要建造规划为月产2万片12英寸功率半导体芯片、月产500KK功率半导体芯片封装测验;二期出资5亿美元,建造月产5万片12英寸功率半导体芯片、月产1250KK功率半导体芯片封装测验。

  2020年5月,国内首个自主开发180nm成套硅光工艺PDK在重庆发布,并对外供给流片服务,而担任这个项目建造的企业,是一家于2018年10月在重庆建立的立异公司联合微电子中心有限责任公司(简称“CUMEC公司”)。

  据悉,CUMEC公司是重庆市政府重磅打造的国家级世界化新式研制组织,首期出资超30亿元,首要环绕高端工艺开发和产品中心IP协同规划的定位,构建硅基光电子、异质异构三维集成、锗硅射频等高端工艺研制渠道,在3-5年逐渐建成世界干流的8吋先导特征工艺以及世界一流的12吋高端特征工艺渠道,方案出资超百亿元。

  据CUMEC公司项目担任人此前泄漏,最快2023年,公司将建成12英寸高端特征工艺渠道,到达世界一流。

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