深紫外 LED 的光效首要由外量子功率决议，而外量子功率受内量子功率和光提取功率影响。跟着深紫外 LED 内量子功率不断进步( ＞80%)，深紫外 LED 光提取功率成为约束深紫外 LED 光效进步的关键因素，而深紫外 LED 光提取功率受封装技能影响较大。

　　深紫外 LED 封装技能与现在白光 LED 封装技能有所不同。白光 LED 首要选用有机资料(环氧树脂、硅胶等) 进行封装，但因为深紫外光波长短且能量高，有机资料在长期深紫外光辐射下会发生紫外降解，严重影响深紫外LED 的光效和牢靠性。因而，深紫外LED封装环节关于资料的挑选特别重要。

　　LED封装资料首要包含出光资料、散热基板资料和焊接键合资料。其间，出光资料用于芯片发光提取、光调理、机械维护等； 散热基板用于芯片电互连、散热与机械支撑等；焊接键合资料用于芯片固晶、透镜键合等。

　　LED 出光结构一般选用通明资料完结光输出和调理，一起对芯片和线路层起到维护效果。因为有机资料耐热性差和热导率低，深紫外LED 芯片发生的热量会导致有机封装层温度升高，长期高温下有机资料呈现热降解和热老化，乃至是不可逆的碳化现象；此外，在高能量紫外光辐射下，有机封装层会呈现透过率下降、微裂纹等不可逆的改动，且跟着深紫外光能量不断添加，这些问题更为严重，使得传统有机资料难以满意深紫外 LED 封装需求。整体而言，虽然有报导部分有机资料可以耐受紫外光，可是因为有机资料耐热性差和非气密性，使得有机资料在深紫外 LED 封装中依然受限。因而，研究者也在不断测验选用石英玻璃、蓝宝石等无机通明资料来封装深紫外 LED。

　　现在，LED 散热基板资料首要有树脂类、金属类和陶瓷类。其间树脂类和金属类基板均含有有机树脂绝缘层，这会下降散热基板的热导率，影响基板散热功能；而陶瓷类基板首要包含高温/低温共烧陶瓷基板( HTCC /LTCC) 、厚膜陶瓷基板( TPC) 、覆铜陶瓷基板( DBC) 以及电镀陶瓷基板( DPC)。陶瓷基板具有机械强度高、绝缘性好、导热性高、耐热性好、热膨胀系数小等许多优势，广泛应用于功率器材封装，特别是大功率LED 封装。因为深紫外 LED 光效较低，输入的绝大部分电能转换为热量，为了防止过多热量对芯片形成高温损害，需求将芯片发生的热量及时耗散到周围环境中，而深紫外 LED 首要依托散热基板作为热传导途径，因而高导热陶瓷基板是深紫外 LED 封装用散热基板的很好挑选。

　　深紫外 LED 焊接资料包含芯片固晶资料和基板焊接资料，别离用于完结芯片、玻璃盖板(透镜) 与陶瓷基板间焊接。倒装芯片常选用金锡共晶办法完结芯片固晶，水平缓笔直芯片可使用导电银胶、无铅焊膏等完结芯片固晶。相关于银胶和无铅焊膏，金锡共晶键合强度高、界面质量好，且键合层热导率高，下降了 LED 热阻。玻璃盖板焊接是在完结芯片固晶后进行，因而焊接温度遭到芯片固晶层耐受温度约束，首要包含直接键合和焊料键合。直接键合不需求中心键合资料，使用高温高压办法直接完结玻璃盖板与陶瓷基板间焊接，键合界面平坦、强度高，但对设备和工艺操控要求高; 焊料键合是选用低温锡基焊料作为中心层，在加热加压条件下，使用焊料层与金属层间原子彼此扩散来完结键合，工艺温度低、操作简略。现在常选用焊料键合来完结玻璃盖板与陶瓷基板间牢靠键合，但需求一起在玻璃盖板和陶瓷基板外表制备金属层，以满意金属焊接需求，且键合工艺过程中需求考虑焊料挑选、焊料涂覆、焊料溢出和焊接温度等问题。

　　近年来，国内外研究者对深紫外 LED 封装资料进行了深入研究，从封装资料技能视点进步了深紫外 LED 光效和牢靠性，有用推进了深紫外 LED 技能发展。

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