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功率器材:IGBT、MOS、SiC价格全体安稳部分料号有所上涨

发布时间:2022-06-12 11:59:40 来源:米乐m6官网

  依据正能量电子网显现的功率器材途径报价,咱们梳理了MOSFET等产品的首要海外厂商的价格状况。从MOSFET产品来看,中低压小信号MOSFET价格自21Q4下行以来,现在价格现已安稳。中高压MOSFET方面,全体稳中有涨。例如,安森美150V的沟槽型产品价格坚持安稳,而其500V的超级结产品价格持续坚持高位。英飞凌的100V车规产品在5月环比4月有小幅上涨,显现车规需求仍较好。

  咱们选取600V、1200V各两款产品以盯梢IGBT单管现在的商场状况。从数据能够看出,进入Q2后IGBT单管价格坚持安稳,其间1200V产品价格环比相等,而安森美和英飞凌的600V产品环比Q1仍有必定上涨。因为IGBT单管下流应用范畴广泛,包含工业、光伏、充电桩、轿车等,所以估计在需求景气带动下,IGBT单管价格本年仍将坚持在高位。

  依据CASAResearch计算的半导体器材经销商网上均匀报价(元/安培)来看,SiC肖特基二极管(SBD)以及SiCMOSFET器材近年来在逐步下降,其间650VSiCSBD报价在2018~2020年的复合降幅到达25%,而650VSiCMOSFET的复合降幅为32%。因为SiC器材价格的下降,其与硅基器材的价差也在逐步缩小。

  高压SiC与硅基价差缩小更显着。依据元器材经销商Mouser的数据,咱们选取了650V和1200V别离一款IGBT单管和SiCMOSFET产品价格进行比照。在650V产品上,SiCMOSFET产品的途径报价是IGBT单管的3.8倍,而1200V产品上,SiCMOSFET的途径报价是IGBT单管的3.5倍,显现高压范畴SiCMOSFET价格距离要更小一点。依据CASAResearch的说法,SiC器材的实践成交价根本约为揭露报价的60%-70%,所以咱们估计SiC与硅基器材的实践成交价距离或许缩小至3倍以下。

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