今日，Intel发布了公司有史以来最具体的制程工艺和封装技能道路图，展现了一系列底层技能立异。

　　除了发布其近十多年来首个全新晶体管架构RibbonFET 和业界首个全新的反面电能传输网络PowerVia之外，Intel还要点介绍了敏捷选用下一代极紫外光刻（EUV）技能的方案，即高数值孔径（High-NA）EUV。

　　Intel CEO帕特基辛格表明，根据Intel在先进封装范畴毋庸置疑的抢先性，咱们正在加速制程工艺立异的道路年制程功能再度抢先业界。

　　Intel正运用咱们无与伦比的继续立异的动力，完成从晶体管到体系层面的全面技能进步。在尽头元素周期表之前，咱们将持之以恒地寻找摩尔定律的脚步，并继续运用硅的奇特力气不断推动立异。

　　Intel技能专家胪陈了以下道路图，其间包含新的节点命名和完成每个制程节点的立异技能：

　　Intel 4彻底选用EUV光刻技能，可运用超短波长的光，刻印极微小的图样。凭仗每瓦功能约20%的提高以及芯片面积的改善，Intel 4将在2022年下半年投产，并于2023年出货，这些产品包含面向客户端的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids。

　　Intel 3凭仗FinFET的进一步优化和在更多工序中增加对EUV运用，较之Intel 4将在每瓦功能上完成约18%的提高，在芯片面积上也会有额定改善。Intel 3将于2023年下半年开端用于相关产品出产。

　　Intel 20A将凭仗RibbonFET和PowerVia两大突破性技能敞开埃米年代。RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的完成，它将成为公司自2011年首先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技能加速了晶体管开关速度，一起完成与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

　　PowerVia是Intel独有的、业界首个反面电能传输网络，经过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。Intel 20A估计将在2024年推出。Intel也很快乐能在Intel 20A制程工艺技能上，与高通公司进行协作。

　　2025年及更远的未来：从Intel 20A更进一步的Intel 18A节点也已在研制中，将于2025年头推出，它将对RibbonFET进行改善，在晶体管功能上完成又一次严重腾跃。

　　Intel还致力于界说、构建和布置下一代High-NA EUV，有望首先取得业界第一台High-NA EUV光刻机。Intel正与ASML密切协作，保证这一职业突破性技能取得成功，逾越当时一代EUV。

　　Intel高档副总裁兼技能开发总经理Ann Kelleher博士表明：“Intel有着悠长的制程工艺基础性立异的前史，这些立异均驱动了职业的腾跃。咱们引领了从90 nm应变硅向45 nm高K金属栅极的过渡，并在22 nm时首先引进FinFET。凭仗RibbonFET和PowerVia两大开创性技能，Intel 20A将成为制程技能的另一个分水岭。”