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推荐一个高端电流检测方案!

发布时间:2023-12-18 16:50:11 来源:米乐m6官网

  也就是等于ense上的电压。又由于MOS属于压控型器件,几乎不会有电流从栅极流入到电阻R2上,所以说,加在

  稳压二极管钳位,改变共模输入范围,这个是比较值得学习借鉴的地方。OPA333的共模输入范围是(V-)-0.1V到(V+)+0.1V,比如说如果5V单电源供电的条件下,OPA233能处理的信号电压范围是-0.1V~5.1V,所以说如果我们使用5V单电源给OPA333供电的话,是处理不了上图的电流检测的,因为上图的检测电压Vsense上的共模电压实在是太大了。

  然而如果在运算放大器供电的地方嵌入一个稳压二极管,那么OPA333的供电电压就变了,变为了400V和394.9V。随之,共模输入电压范围也就改变了,变为了394.8V~400.1V,而这个改变也正恰恰是高端电流检测所需要的。如下图:

  那么这个Rz该如何取值呢?Rz的取值和两个参数相关,第一个是稳压二极管的Izt(在≥Izt的时候稳压管的稳压值才准确)。第二个是运算放大器的静态电流Iq(因为MOS为压控型器件,运算放大器几乎不会提供电流在MOS的Cgs充满电后)。

  TI的设计是这样的,采用了低功耗的稳压二极管MMSZ4689T1(为防止电阻上的功耗过大),Izt为50uA,即在50uA的电流下,可以保持稳压5.1V。

  公式计算Rz的取值要小于5.26MΩ,TI取了两个1.2MΩ的电阻串联,以减小单颗电阻的功率。

  关于PMOS的选型,有两点要考虑。第一点,就是PMOS的耐压值,肯定是要超过400V的,TI选择了一颗力特的IXTT16P60P,最大耐压为600V。

  第二点就是MOS的功耗(由于MOS工作在线性区,所以MOS的功耗一定不可小觑),假设流过MOS的电流为8mA,由于MOS两端的电压差很大很大,所以功耗会很夸张,所以要选择大封装的,并且PCB上做好散热:

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