驱动中，使得高压输出侧能够接受高达1200V的直流电压，一起SW pin能够满意高dv/dt和耐负压尖峰的需求。可适用于各种

　　NSD1624输入逻辑可兼容TTL/CMOS，便利操控。高压侧和低压侧均具有独立的供电欠压维护功用（UVLO），能在10~20V电压范围内作业。此外，NSD1624可提供SOP14，SOP8，LGA 4*4mm多种封装方式。

　　上图一所示是半桥驱动IC十分典型的使用电路。在Q1、Q2管子开关过程中，SW 会发生必定程度的震动，一起会有负压发生，如上图二所示。假如驱动IC SW pin 耐负压才能比较低，就会导致IC损坏。

　　SW pin发生震动和负压的原因是：当上管封闭时，因为负载呈理性，电流不能骤变，电流便会从GND 经过下管的体二极管进行续流，如图一的赤色箭头方向所示。在实在电路中，该电流途径上许多地方会存在寄生电感，如图一的绿色电感。

　　SW的电压 Usw=-Lss * (di/dt)，经过公式能够看出，续流电流经过途径中的寄生电感，会在SW上发生负压。假如负载电流越大，开关频率越高，即di/dt 大，一起电路中寄生电感越大，即Lss 值越大，则SW发生的震动和负压就会越大，就会越简单损坏驱动IC。

　　此外，开关频率越大，SW发生的dv/dt就越大。假如挑选的驱动IC dv/dt 抗干扰才能缺乏，便会导致驱动IC内部逻辑过错，可能会使得驱动IC的HO 和 LO一起输出高电平，使得上下管一起翻开，形成短路，乃至烧坏管子。

　　纳芯微立异地将阻隔技能计划使用于NSD1624 高压半桥IC中，很好处理了上述问题，即：SW pin负压和高dv/dt的痛点。该立异技能，使得NSD1624 SW pin 电压能够接受高达±1200V，能够接受十分高的负压；一起dV/dt抗干扰才能超越100kv/us。因此 NSD1624 十分合适高频、高压、高可靠性的使用场景，契合电源职业开展的趋势。