(1)28纳米或更老练的数字或模仿逻辑半导体（即平面晶体管的栅极长度为28纳米或更长）；
(2)半距离大于18纳米的DRAM或小于128层的NAND半导体，不运用新式存储器技能，例如过渡金属氧化物、相位-改动与高档存储器制作相关的存储器、钙钛矿或铁磁体；或许
(2)具有后平面晶体管结构的半导体如FinFET或GAA结构和(3)以封装设施为意图，使用3D集成封装的半导体。
(b) 使用纳米资料的半导体，包含一维和二维碳同素异形体，例如石墨烯和碳纳米管；
