在传统晶圆封装中，是将制品晶圆切割成单个芯片，然后再进行黏合封装。不同于传统封装工艺，晶圆级封装是在芯片还在晶圆上的时分就对芯片进行封装，维护层能够黏接在晶圆的顶部或底部，然后衔接电路，再将晶圆切成单个芯片。

　　WLP是在硅片层面上完结封装测验的，以批量化的出产方式到达本钱最小化的方针。WLP的本钱取决于每个硅片上合格芯片的数量，芯片规划尺度减小和硅片尺度增大的开展趋势使得单个器材封装的本钱相应地削减。WLP可充分利用晶圆制作设备，出产设备费用低。

　　1、涂覆第一层聚合物薄膜，以加强芯片的钝化层，起到应力缓冲的作用。聚合物品种有光敏聚酰亚胺（PI）、苯并环丁烯（BCB）、聚苯并恶唑（PBO）。

　　2、重布线层（RDL）是对芯片的铝/铜焊区方位从头布局，使新焊区满意对焊料球最小距离的要求，并使新焊区依照阵列排布。光刻胶作为选择性电镀的模板以规划RDL的线路图形，最终湿法蚀刻去除光刻胶和溅射层。

　　3、涂覆第二层聚合物薄膜，是圆片外表平整化并维护RDL层。在第二层聚合物薄膜光刻出新焊区方位。

　　5、植球。焊膏和焊料球经过掩膜板进行精确定位，将焊料球放置于UBM上，放入回流炉中，焊料经回流消融与UBM构成杰出的滋润结合，到达杰出的焊接作用。

　　跟着电子产品不断升级换代，智能手机、5G、AI等新式商场对封装技能提出了更高要求，使得封装技能朝着高度集成、三维、超细节距互连等方向开展。晶圆级封装技能能够减小芯片尺度、布线长度、焊球距离等，因而能够进步集成电路的集成度、处理器的速度等，下降功耗，进步可靠性，适应了电子产品日益轻浮矮小、低本钱的开展要需求。

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