为期四天的2023广州国际照明展览会（简称：光亚展）在火热的气氛中圆满落幕。此次展会，国星

  其中，在第三代半导体展区，国星光电首次展出了应用于LED电源领域的第三代半导体产品及其应用方案，这是公司立足自身优势，推进第三代半导体应用迈向LED下游应用关键的一步。

  于LED封装领域，国星光电经过多年的发展和沉淀，已具备领先的技术优势和良好的市场口碑。那么，在第三代半导体领域，公司又将如何精准发力，开辟LED产业高质量发展新蓝海呢？

  “国星光电第三代半导体产品主要使用在在啥地方？有何优势？”“接下来重点发展趋势是什么？”这是在光亚展上被专业来宾和行业媒体问得最多的问题。

  带着疑问出发，6月15日，国星光电将出席由TrendForce集邦咨询主办的“第三代半导体前沿趋势研讨会”，为大家带来《GaN的SIP封装及其应用》主题演讲，分享公司在第三代半导体领域的最新技术进展及相关应用。

  SIP（系统级封装）技术是通过将多个裸片及无源器件整合在单个封装体内的集成电路封装技术。在后摩尔时代，SIP技术能帮助芯片成品增加集成度、减小体积并降低功耗，应用市场广泛覆盖消费电子、无线电子汽车电子医疗电子云计算工业控制等。

  GaN的本质是一个开关管，实现特定的功能离不开对GaN开关管的控制，而控制行为在电路中属于逻辑部分，将逻辑电路和功率电路进行合封是一个很高难度的挑战。基于SIP封装的GaN解决方案能够助力在性能和成本上进一步升级。

  面向LED应用下游，GaN正在掀起LED驱动电源领域的新浪潮。在此背景下，国星光电旨在做一颗具备特定功能的GaN开关器件，帮助简化开关电路。目前，公司已开发出多款基于SiP封装的GaN-IC产品，可在LED驱动电源、LED显示器驱动电源、墙体插座快充、移动排插快充等领域得以应用。此外，国星光电也正在开发GaN电源方案。依托成熟且强有力的开发团队，未来公司GaN产品将在SIP封装这条路上走得更远，助推LED驱动电源行业的升级。

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  在高温、高压、高频等应用环境中展现出了更出色的性能。从材料分类的角度来看，

  材料，用于高压、高温、高频场景。大范围的应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此

  移动通信系统IMT2000，是国际电信联盟（ITU）在1985年提出的，当时称为陆地移动系统（FPLMTS）。1996年正式更名为IMT2000。与现有的第二

  产业技术创新战略联盟理事长吴玲透露：国家2030计划和“十四五”国家研发计划都已经明确，

  相关产业高质量发展：2017年，工信部、国家发改委发布的《信息产业高质量发展指南》将“

  以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP）为代表，主要使用在领域为

  ，它们通常都具有高击穿电场、高热导率、高迁移率、高饱和电子速度、高电子密度、可承受大功率等特点

  材料，它能够给大家提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它们能用于制造更小、更轻、更高效的电子元件，来提升电子设备的性能。

  材料）具有更加好的物理和化学特性，同时具有开关速度快、体积小、效率高、散热快等

  个月调试生产设备和技术，成功产出达至国际大厂的高良率标准之外延片，并陆续开始销售。

  材料中，碳化硅（SiC）与方案商和中小设备终端制造商关系最大，它主要作为高功率

  材料应用于电源，汽车以及工业电力电子，在大功率转换应用中具有巨大的优势。

  」在电动车、充电桩、高功率适配器等应用中的爆发式增长，使得其越来越贴近我们的生活。

  产业技术创新战略联盟2022年8月6日，由保定市人民政府、河北省科学技术协会、河北省发展和改革委员会、河北省工业和信息化厅、河北省

  的应用痛点 在集成电路和分立器件领域，硅始终是应用最广泛、技术最成熟的

  相关产业高质量发展：2017年，工信部、国家发改委发布的《信息产业高质量发展指南》将“

  技术蒸蒸日上，其对应的分立器件性能测试需求也随之而来。其较高的dv/dt与di/dt给性能测试带了不少困难。泰克的TIVP系列光隔离探头，以其优越的160dB

  测试也提出了更多新的挑战。斯丹麦德干簧继电器是如何在挑战中发现新的机遇呢？

  MOSFET管要么分布在高压低速的区间，要么分布在低压高速的区间，市面上传统的探测技术能覆盖器件特性的测试需求。但是

  的技术却大大扩展了分布的区间，覆盖以往没再次出现过的高压高速区域，这就对器件的测试

  产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）主办、泰克科技（中国）有限公司和北京博电新力电气股份有限公司协办的“2021

  材料产业的发展。近年来，国务院及工信部、科技部等多部门出台了一系列扶持

  的触角已延伸至数据中心、新能源汽车等多个关键领域，整个行业渐入佳境，未来可期。

  材料的电子器件将大范围的应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等场景。

  日前，阿里巴巴达摩院预测了2021年科技趋势，其中位列第一的是以氮化镓和碳化硅为代表的

  或SiC功率器件呢？相对于IGBT、MOSFET和超级结MOSFET，

  和SiC到底能为电子行业带来哪些技术变革？ 为了回答这样一些问题，小编认线

  产业技术创新战略联盟理事长吴玲透露，双循环模式推动国产化替代，2020年中

  产业，写入十四五规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等每个方面，大力支持发展

  材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、

  2020年，新基建产业站在了风口上。在以5G、物联网、工业互联网等为代表的新基建主要领域中，

  领导外，中国科学院院士、南昌大学副校长、国家硅基LED工程技术研究中心主任江风益等

  产业发展进程较快，基本形成了从晶体生长到器件研发制造的完整产业链。同时，我国在高速轨道交通

  材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、

  概念异军突起，在上周五大盘低迷的情况下依然创下较好的市场表现。人们的关注点也开始聚焦在

  概念近日在市场上的热度高居不下。除了与5G紧密关联外，更重要是有证券研报指出，

  有望纳入重要规划，消息传出后多只概念股受到炒作。证券业人士提醒，有个人投资者

  及衬底片的境外销售区域以韩国、台湾地区为主，二者合计占相关这类的产品境外销售比例80%以上。 02 乾照

  产业，写入正在制定中的十四五规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发

  材料是砷化镓（GaAs），为4G时代而生，目前的大部分通信设施的材料。

  5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动

  投资热的戏码正在悄然上演。这轮投资热将对整个产业带来哪些影响？国内发展

  高峰论坛”将于9月19日上午在深圳五洲宾馆举行。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英将围绕

  产业的应用市场呈现快速地增长的态势，国际竞争也十分激烈，美国、欧洲、日本等发达国家都在积极进行战略部署，通过建立创新中心、联合研发等方式，将产学研及政府部门联合起来协同组织和投入，加快

  5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动

  )的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而

  目前，蓝光LED上游企业已处于饱和状态，通过紫外光源的发展，能够在一定程度上促进上游LED企业的转型和升级，带动国内高新技术产业的发展。